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| == BJT ==
| | [[Category:Elettronica]] |
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| * '''β''' e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.
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| * '''r<sub>ee</sub>''' resistenza interna di emettitore, pari a KT/Iem ≅ 0.026V/Ie.
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| * '''K''' e' la costante di Boltzman
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| * '''m''' va da 1 a 2 nel silicio
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| * '''T''' la temperatura in gradi kelvin
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| === Emettitore comune ===
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| [[File:Emitter-stabilised-bias.gif|none]] | |
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| * I<sub>c</sub> va scelta nel range tollerabile dal transistor
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| * Ve ≅ Vcc/10 (a seconda della degenerazione voluta)
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| * R<sub>e</sub> = V<sub>e</sub>/I<sub>e</sub>
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| * Ie ≅ Ic (per Ib trascurabile)
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| * Vc = (Vcc-Ve)/2
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| * R<sub>L</sub> ≅ Vc/Ic
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| Circuito di bias:
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| * Ib = Ic/hfe
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| * Vb = Ve + 0,7V
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| * Ibias >= 10*Ib
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| * R1 = (Vcc-Vb)/I<sub>bias</sub>
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| * R2 = Vb/I<sub>bias</sub>
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| * L'impedenza di ingresso e' pari a (β+1)*(Re+r<sub>ee</sub>) in parallelo con il circuito di bias.
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| * L'impedenza di uscita e' pari alla resistenza di collettore
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| === Collettore comune ===
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| [[File:CommonCollector.jpg|none]] | |
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| * V<sub>e</sub> = Vcc/2
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| * R<sub>e</sub> = V<sub>e</sub>/Ic
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| e il bias:
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| * Ib = Ic/hfe
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| * Vb = Ve + 0,7V
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| * Ibias >= 10*Ib
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| * R1 = (Vcc-Vb)/I<sub>bias</sub>
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| * R2 = Vb/I<sub>bias</sub>
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| * Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
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| * La tensione in uscita e' Vout=Vin-Vbe dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione per segnali variabili e' 1.
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| * L'impedenza di ingresso e' pari a Re*(β+1)
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| * L'impedenza di uscita e' R<sub>e</sub> || ((R<sub>source</sub>||R<sub>b</sub>)/β)
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| == MOSFET == | | == MOSFET == |
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| [[File:FET-Ani.gif]] | | [[File:FET-Ani.gif]] |
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| == Push Pull ==
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| Un amplificatore '''push-pull''' e' un circuito che usa due transistor che lavorano in modo complementare.
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| [[File:Animation pushpull fast.gif]]
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| La '''classe di funzionamento''' di un amplificatore indica la parte di segnale durante la quale il transistor e' in conduzione:
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| * classe A - il transistor e' sempre in conduzione. L'efficienza e' minore del 50%.
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| * classe AB - il transistor e' in conduzione per piu del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' tra il 50% e il 78.6%.
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| * classe B - il transistor e' in conduzione per il 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' circa 78.6%.
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| * classe C - il transistor e' in conduzione per meno del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' maggiore del 78.6%
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| [[File:Amplifier class.gif|none]]
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| == DDS == | | == DDS == |
MOSFET
Il MOSFET e' un transistor ad effetto campo nel quale il gate e' isolato dal canale drain-source da un sottile strato di ossido metallico.
Aumentando la tensione tra gate e source, la resistenza tra drain e source diminuisce, permettendo il passaggio di una corrente maggiore.
DDS
Un DDS e' un dispositivo composto da un oscillatore, un accumulatore di fase e da un DAC. Attraverso un bus di controllo e' possibile impostare l'incremento di fase, ottendo quindi la frequenza voluta.
