Amplificatori

BJT

• β e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.
• K e' la costante di Boltzman
• m va da 1 a 2 nel silicio
• T la temperatura in gradi kelvin* r_ee resistenza interna di emettitore, pari a KT/Iem ≅ 0.026V/Ie.

Circuito di bias:

• I_b = Ic/hfe
• I_bias deve essere maggiore o uguale di I_b*10
• Vb = V_cc * (R2/(R1+R2)) - I_b * (R1 || R2) → (per I_b*10 < I_bias) V_cc * (R2/(R1+R2))
• R1 = (Vcc-Vb)/I_bias
• R2 = Vb/I_bias

Emettitore comune

• I_c va scelta nel range tollerabile dal transistor. Una corrente maggiore implica minore impedenza di ingresso (R_e) ed uscita (R_L)
• V_e ≅ V_cc/10 (a seconda della degenerazione voluta)
• I_e ≅ I_c (per I_b trascurabile)
• R_e = V_e/I_e
• V_c = (V_cc-V_e)/2
• R_L ≅ V_c/I_c

• L'impedenza di ingresso e' pari a (β+1)*(Re+r_ee) || R1 || R2
• L'impedenza di uscita e' pari alla resistenza di collettore

Collettore comune

• V_e = Vcc/2
• R_e = V_e/Ic

• Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
• La tensione in uscita e' Vout=Vin-Vbe dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione per segnali variabili e' 1.
• L'impedenza di ingresso e' pari a Re*(β+1)
• L'impedenza di uscita e' R_e || ((R_source||R_b)/β)