MeoW

Miagolazione d'ampiezza

MeoW e' un trasmettitore in modulazione di ampiezza per onde medie, autocostruibile e autofinanziabile.

Schema elettrico

Specifiche

• prezzo: <= 50 euro
• potenza: >= 50 W
• alimentazione: 12 - 24 volt
• senza assemblaggi SMD
• livello seconda armonica: -40dB
• stabilita' in frequenza: 50ppm

Modulatore

Il modulatore crea il segnale alla frequenza desiderata (portante) e lo modula con il segnale audio.

Pretrattamento audio

Il segnale audio passa per un filtro passivo passa-banda di primo ordine 300-5000 Hz (R1,C8,C10). Il segnale va ulteriormente filtrato e compresso a monte.

uC controllo

Il DDS viene controllato da un microcontrollore con il firmware Ondeggiatore. Due tasti controllano la frequenza, con 121 canali spaziati 9khz da 531 a 1620khz.

DDS

Un DDS e' un dispositivo composto da un oscillatore, un accumulatore di fase e da un DAC. Attraverso un bus di controllo e' possibile impostare l'incremento di fase, ottendo quindi la frequenza voluta.

Si possono usare i DDS AD9834, AD9850, AD9851 e tutti quelli che permettono di impostare il fondo scala del DAC.

Sul mercato si trovano moduli gia assemblati con il AD9850:

• https://www.aliexpress.com/item/New-AD9850-DDS-Signal-Generator-Module-0-40MHz-Test-Equipment/32328648512.html - espone il piedino 12 (Rset), la Zout pare essere intorno ai 100Ω, espone un'uscita filtrata, una diretta e una comparata quadra.
• HC-SR08 (schema) - non espone Rset, espone un'uscita filtrata e una diretta.

Nessuno dei due espone entrambe le uscite sinusoidali direttamente, rendendo impossibile sfruttare l'uscita complementare con un trasformatore; questo permette di generare solo una moulazione asimmetrica.

Il DDS viene controllato da un microcontrollore PIC24F16KM202 con firmware Ondeggiatore, attraverso 3 piedini.

Un MOSFET 2n7000 (Q1) modula l'uscita del DDS al posto di Rset. L'offset di modulazione viene regolato con il trimmer RV3, mentre la profondita' e' determinata dall'ampiezza del segnale di ingresso.

Per il DDS AD9850 la relazione e': Iout = 32(1.248 V/Rset)

Buffer RF

L'uscita del DDS viene amplificata e adattata da una coppia di transistor bipolari 2N3904. Il primo transistor Q4, in configurazione a emettitore comune amplifica il segnale, mentre Q5, in configurazione a collettore comune lo adatta a una impedenza di uscita piu bassa.

Nello stadio in configurazione EC:

Nello stadio in configurazione CC:

• Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
• La tensione in uscita e' Vout=Vin-Vbe dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione e' 1.
• L'impedenza di uscita e'Zout = [Vin-Vout] / (Iout) → [(I/β)Rsource]/I) → Rsource/β

β e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.

Amplificatore lineare

E' uno stadio push-pull MOSFET che lavora in classe AB, con una tensione di alimentazione dai 12 ai 24 volt.

Il MOSFET e' un transistor ad effetto campo nel quale il gate e' isolato dal canale drain-source da un sottile strato di ossido metallico.

Aumentando la tensione tra gate e source, la resistenza tra drain e source diminuisce, permettendo il passaggio di una corrente maggiore.

Un amplificatore push-pull e' un circuito che usa due transistor che lavorano in modo complementare.

La classe di funzionamento di un amplificatore indica la parte di segnale durante la quale il transistor e' in conduzione:

• classe A - il transistor e' sempre in conduzione. L'efficienza e' minore del 50%.
• classe AB - il transistor e' in conduzione per piu del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' tra il 50% e il 78.6%.
• classe B - il transistor e' in conduzione per il 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' circa 78.6%.
• classe C - il transistor e' in conduzione per meno del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' maggiore del 78.6%

Un qualsiasi MOSFET/HEXFET per uso commutativo dei seguenti e' adatto allo scopo:

FET	Id A	Vds V	Rds Ω	Cin @ 25Vds pF
IRF510	5,6	100	0,54	200
IRF520	9,7	100	0,2	330
IRF530	14	100	0,14	600
IRF540	33	100	0,04	890
IRF610	3,3	200	1,5	200
IRF620	7	200	1,2	460
IRF630	9	200	0,3	960
IRF640	18	200	0,15	1850
IRF710	2	400	3,6	200
IRF730	7	400	1	620
IRF740	10	400	0,55	1400
STP16NF06	16	60	0,08	315
IRFZ24	12	60	0,1	640

• Id e' la corrente massima tra source e drain mentre il transistor e' in massima conduzione
• Vds e' la massima tensione sopportabile tra drain e source
• Rds e' la resistenza tra drain e source mentre il transistor e' in massima conduzione
• Cin e' la capacita totale presentata dal gate

Valori di Cin troppo grandi determinano una eccessiva impedenza di ingresso dello stadio al salire della frequenza, comportando un abbassamento del guadagno.

Valori di Rds troppo bassi impediscono di raggiungere potenze alte.

Valori di Vds troppo bassi possono comportare la rottura del transistor ad alte tensioni di alimentazione, ad alte potenze o a cattivi accordamenti di antenna.

I MOSFET vanno fissati ad un dissipatore di calore. Un comune dissipatore con ventola per CPU PC e' sufficiente fino a 80W. Tutti i MOSFET elencati hanno il tab (l'orecchia metallica con il buco per la vite) collegata al terminale di drain, quindi il componente va elettricamente isolato dal dissipatore con gli appositi pad in silicone (oppure mica e pasta termica) e rondella in nylon.

ref.

• riguardo la stabilizzazione con feedback rc drain-gate: https://www.radio-kits.co.uk/radio-related/Linear_PA/mtt97.pdf, http://www.infineon.com/dgdl/an-937.pdf?fileId=5546d462533600a40153559ea1481181

Trasformatore di ingresso

Il trasformatore di ingresso T2 e' composto da 4/12 spire su nucleo BN-43-2402 (AL=1440).

L'impedenza di ingresso di un amplificatore push-pull a MOSFET e' data dal circuito di bias e dalla capacita di gate. La resistenza di un condensatore di capacita c a un segnale di frequenza f e' R=1/(2*pi*f*c)

Alla frequenza di 1MHz:

• STP16NF06 -> 1/(2⋅pi⋅1000000⋅0,000000000315) = 505Ω
• IRF630 -> 1/(2⋅pi⋅1000000⋅0,000000000960) = 165Ω

Circuito di bias

Il circuito di polarizzazione (R2,C13,U3,L1,L2,RV1,RV2) si occupa di generare una tensione che, applicata ai gate dei transistor, determina il punto di lavoro e quindi la classe di amplificazione. La tensione va regolata con i trimmer RV1 e RV2 in modo che attraverso ogni transistor scorra una corrente di 50ma.

Le induttanze L1 ed L2 impediscono al segnale di risalire nel circuito di polarizzazione. La loro resistenza e' trascurabile per la corrente continua, mentre e' di circa 2⋅π⋅1000000⋅0,000470 = 3000Ω alla frequenza di 1MHz.

Le resistenze R3 e R4 creano un filtro passa basso che smorza le oscillazioni sui gate.

Trasformatore di uscita

Il trasformatore di uscita trasferisce i due segnali in controfase prodotti da Q2 e Q3 all'uscita dell'amplificatore, adattandone l'impedenza.

Va avvolto con filo di rame con diametro almeno 1mm su nucleo toroidale o binoculare, alternando le spire degli avvolgimenti.

L'impedenza di uscita di un amplificatore push pull e' Zout = (Vcc^2)/(2*Pout). Ad esempio, con una alimentazione di 24 volt e una potenza di 24 watt si ottiene: (24v^2)/(2*24w)=12Ω

Empiricamente, l'impedenza di uscita di un circuito puo essere misurata osservando la variazione della tensione prodotta al variare del carico

• tra un circuito aperto e un carico conosciuto Rl: Ro = Rl((Vo/Vl) - 1)
• tra due carichi conosciuti R1 e R2: Ro = (R1-(R1*(V1/V2)))/((V1/V2)-(R1/R2))
• in particolare, quando viene applicato un carico di impedenza pari a quella di uscita, la tensione prodotta si dimezza

Il rapporto di impedenza tra gli avvolgimenti di un trasformatore e' pari quadrato del rapporto delle spire Z1/Z2 = sqrt(N1/N2)

La reattanza induttiva dell'avvolgimento piu piccolo deve essere almeno 4 volte piu grande dell'impedenza di uscita alla frequenza piu bassa.

Ad esempio alla frequenza di 1 MHz deve essere almeno (50Ω*4)/(2⋅π⋅1000000Hz)= 0,0000318H ossia 32μH.

Dato che una induttanza di 32μH avvolta in aria (che ha permeabilità 1µ) sarebbe molto ingombrante, la si avvolge attorno ad un nucleo di materiale ferromagnetico avente una permeabilità piu alta. Questo permette di dover avvolgere meno spire, permettendoci di usare un filo piu grosso che possa sopportare le correnti in gioco.

Altri parametri importanti del materiale sono il flusso di saturazione e la temperatura di Curie che determinano la massima potenza applicabile e la resistivita e l'isteresi che determinano la frequenza di utilizzo.

Purtroppo la denominazione dei materiali ferromagnetici non e' standardizzata. Spesso viene usato come riferimento il numero usato dal produttore Fair-Rite, qui di seguito indicato da #. Per districarsi si possono usare tabelle di equivalenza come questa.

Alcuni materiali adatti per il nostro scopo sono:

• #31 - µ 1500 adatto a partire da 0,5MHz, permeabilità alta e scarsa tenuta in potenza
• #43 - µ 800 ok tra 3 e 50 MHz, facilmente reperibile come materiale radiantistico
• #52 - µ 250 facilmente reperibile all'interno degli alimentatori switching, ha permeabilità bassa. Il piu comune, blu e verde, e' il T106-52 (Al=95)
• #77 - µ 2000 ok tra 0,5 e 15 MHz
• #78 - µ 2300
• N67, N87 - prodotti da EPCOS, µ 2100 - piu' o meno equivalenti al #77

Combinando la permeabilità del materiale e le dimensioni fisiche del nucleo si ottiene il fattore di induttanza, indicato con AL, spesso direttamente indicato dai produttori. Conoscendo AL e il valore di induttanza richiesto, si puo ottenere il numero di spire necessarie tramite la formula 1000⋅sqrt(μH/(AL⋅1000)).

Quindi il numero di spire un induttanza di 32μH avvolta su diversi nuclei toroidali sarà ad esempio:

• T106-52 (AL=95) -> 1000⋅sqrt(32μH/(95⋅1000)) -> 18,3 spire
• FT50-43 (AL=440) -> 8.5 spire
• BN-43-202 (AL=2200) -> 3,8 spire
• BN-43-302 (AL=1280) -> 5 spire
• R22.1×13.7×12.5 N87 (AL=2630) -> 3,5 spire

ref:

• riguardo alla famosa regola del 4: File:The-four-times-the-impedance-rule-for-broadband-rf-transformer-windings-where-does-it-originate.pdf

RF LPF

Il filtro di uscita e' un modulo Sdaz.

Antenna

Per onde lunghe e medie la scarsa altezza dal suolo rispetto a λ rende inefficiente l'uso di antenne a polarizzazione orizzontale. Vista l'impossibilita' di installare antenne verticali risonanti cosi alte, si corregge l'impedenza con l'uso contemporaneo di caricamento induttivo alla base e caricamento capacitivo all'estremita'.

I parametri di una T-antenna sono:

• Lunghezza della verticale
• Lunghezza del cappello orizzontale
• numero di conduttori del cappello

Variometro

Il variometro e' una induttanza variabile, composta da due induttanze che si possono muovere una rispetto all'altra. Deve avere un range di 50 - 100 uH

riferimenti:

• http://www.strobbe.eu/on7yd/136ant/
• http://www.antennasbyn6lf.com/630m-antennas/
• http://people.physics.anu.edu.au/~dxt103/calculators/marconi.php

Materiali

• http://www.chezradio.com/index_htm_files/lpamhandbook.pdf steampunkettoni