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=== BJT ===
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Amplificatore a emettitore comune
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* Vcc
* Ic


* Rl = Vcc/Ic
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* Ie ~ Ic
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* Re = Ve/Ie
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* Ib = Ic/hfe
* Vb = Ve + 0,7V
* Ibias = 10*Ib
* R1 = (Vcc-Vb)/Ibias
* R2 = Vb/Ibias


=== DDS ===
=== DDS ===

Revision as of 17:27, 27 June 2017

BJT

Amplificatore a emettitore comune

  • Rl = Vcc/Ic
  • Ve = Vcc/10
  • Ie ~ Ic
  • Re = Ve/Ie
  • Ib = Ic/hfe
  • Vb = Ve + 0,7V
  • Ibias = 10*Ib
  • R1 = (Vcc-Vb)/Ibias
  • R2 = Vb/Ibias

DDS

Un DDS e' un dispositivo composto da un oscillatore, un accumulatore di fase e da un DAC. Attraverso un bus di controllo e' possibile impostare l'incremento di fase, ottendo quindi la frequenza voluta.

MOSFET

Il MOSFET e' un transistor ad effetto campo nel quale il gate e' isolato dal canale drain-source da un sottile strato di ossido metallico.

Aumentando la tensione tra gate e source, la resistenza tra drain e source diminuisce, permettendo il passaggio di una corrente maggiore.


Un amplificatore push-pull e' un circuito che usa due transistor che lavorano in modo complementare.

La classe di funzionamento di un amplificatore indica la parte di segnale durante la quale il transistor e' in conduzione:

  • classe A - il transistor e' sempre in conduzione. L'efficienza e' minore del 50%.
  • classe AB - il transistor e' in conduzione per piu del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' tra il 50% e il 78.6%.
  • classe B - il transistor e' in conduzione per il 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' circa 78.6%.
  • classe C - il transistor e' in conduzione per meno del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' maggiore del 78.6%