Componenti

BJT

• β e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.
• r_ee resistenza interna di emettitore, pari a KT/Iem ≅ 0.026V/Ie.
• K e' la costante di Boltzman
• m va da 1 a 2 nel silicio
• T la temperatura in gradi kelvin

Emettitore comune

• I_c va scelta nel range tollerabile dal transistor
• Ve ≅ Vcc/10 (a seconda della degenerazione voluta)
• R_e = V_e/I_e
• Ie ≅ Ic (per Ib trascurabile)
• Vc = (Vcc-Ve)/2
• R_L ≅ Vc/Ic

Circuito di bias:

• Ib = Ic/hfe
• <math>V_B = \ </math> voltage across <math>R_2 \ </math> <math>= V_{cc} \frac{R_2}{(R_1+R_2)} - I_B \frac{R_1 R_2}{(R_1+R_2)}</math>
• Vb = Ve + 0,7V
• Ibias >= 10*Ib
• R1 = (Vcc-Vb)/I_bias
• R2 = Vb/I_bias

• L'impedenza di ingresso e' pari a (β+1)*(Re+r_ee) in parallelo con il circuito di bias.
• L'impedenza di uscita e' pari alla resistenza di collettore

Collettore comune

• V_e = Vcc/2
• R_e = V_e/Ic

e il bias:

• Ib = Ic/hfe
• Vb = Ve + 0,7V
• Ibias >= 10*Ib
• R1 = (Vcc-Vb)/I_bias
• R2 = Vb/I_bias

• Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
• La tensione in uscita e' Vout=Vin-Vbe dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione per segnali variabili e' 1.
• L'impedenza di ingresso e' pari a Re*(β+1)
• L'impedenza di uscita e' R_e || ((R_source||R_b)/β)

MOSFET

Il MOSFET e' un transistor ad effetto campo nel quale il gate e' isolato dal canale drain-source da un sottile strato di ossido metallico.

Aumentando la tensione tra gate e source, la resistenza tra drain e source diminuisce, permettendo il passaggio di una corrente maggiore.

Push Pull

Un amplificatore push-pull e' un circuito che usa due transistor che lavorano in modo complementare.

La classe di funzionamento di un amplificatore indica la parte di segnale durante la quale il transistor e' in conduzione:

• classe A - il transistor e' sempre in conduzione. L'efficienza e' minore del 50%.
• classe AB - il transistor e' in conduzione per piu del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' tra il 50% e il 78.6%.
• classe B - il transistor e' in conduzione per il 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' circa 78.6%.
• classe C - il transistor e' in conduzione per meno del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' maggiore del 78.6%

DDS

Un DDS e' un dispositivo composto da un oscillatore, un accumulatore di fase e da un DAC. Attraverso un bus di controllo e' possibile impostare l'incremento di fase, ottendo quindi la frequenza voluta.