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| == BJT ==
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| * '''β''' e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.
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| * '''K''' e' la costante di Boltzman
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| * '''m''' va da 1 a 2 nel silicio
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| * '''T''' la temperatura in gradi kelvin* '''r<sub>ee</sub>''' resistenza interna di emettitore, pari a KT/Iem ≅ 0.026V/Ie.
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| Circuito di bias:
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| * I<sub>b</sub> = Ic/hfe
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| * I<sub>bias</sub> deve essere maggiore o uguale di I<sub>b</sub>*10
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| * Vb = V<sub>cc</sub> * (R2/(R1+R2)) - I<sub>b</sub> * (R1 || R2) → (per I<sub>b</sub>*10 < I<sub>bias</sub>) V<sub>cc</sub> * (R2/(R1+R2))
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| * R1 = (Vcc-Vb)/I<sub>bias</sub>
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| * R2 = Vb/I<sub>bias</sub>
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| === Emettitore comune ===
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| [[File:Emitter-stabilised-bias.gif|none]]
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| * I<sub>c</sub> va scelta nel range tollerabile dal transistor. Una corrente maggiore implica minore impedenza di ingresso (R<sub>e</sub>) ed uscita (R<sub>L</sub>)
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| * V<sub>e</sub> ≅ V<sub>cc</sub>/10 (a seconda della degenerazione voluta)
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| * I<sub>e</sub> ≅ I<sub>c</sub> (per I<sub>b</sub> trascurabile)
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| * R<sub>e</sub> = V<sub>e</sub>/I<sub>e</sub>
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| * V<sub>c</sub> = (V<sub>cc</sub>-V<sub>e</sub>)/2
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| * R<sub>L</sub> ≅ V<sub>c</sub>/I<sub>c</sub>
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| * L'impedenza di ingresso e' pari a (β+1)*(Re+r<sub>ee</sub>) || R1 || R2
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| * L'impedenza di uscita e' pari alla resistenza di collettore
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| === Collettore comune ===
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| [[File:CommonCollector.jpg|none]]
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| * V<sub>e</sub> = Vcc/2
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| * R<sub>e</sub> = V<sub>e</sub>/Ic
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| * Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
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| * La tensione in uscita e' Vout=Vin-Vbe dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione per segnali variabili e' 1.
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| * L'impedenza di ingresso e' pari a Re*(β+1)
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| * L'impedenza di uscita e' R<sub>e</sub> || ((R<sub>source</sub>||R<sub>b</sub>)/β)
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| == MOSFET == | | == MOSFET == |
| [[File:N-mosfet.gif]] | | [[File:N-mosfet.gif]] |
Revision as of 19:07, 6 July 2017
MOSFET
Il MOSFET e' un transistor ad effetto campo nel quale il gate e' isolato dal canale drain-source da un sottile strato di ossido metallico.
Aumentando la tensione tra gate e source, la resistenza tra drain e source diminuisce, permettendo il passaggio di una corrente maggiore.
Push Pull
Un amplificatore push-pull e' un circuito che usa due transistor che lavorano in modo complementare.
La classe di funzionamento di un amplificatore indica la parte di segnale durante la quale il transistor e' in conduzione:
- classe A - il transistor e' sempre in conduzione. L'efficienza e' minore del 50%.
- classe AB - il transistor e' in conduzione per piu del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' tra il 50% e il 78.6%.
- classe B - il transistor e' in conduzione per il 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' circa 78.6%.
- classe C - il transistor e' in conduzione per meno del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' maggiore del 78.6%
DDS
Un DDS e' un dispositivo composto da un oscillatore, un accumulatore di fase e da un DAC. Attraverso un bus di controllo e' possibile impostare l'incremento di fase, ottendo quindi la frequenza voluta.
