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* R1 = (Vcc-Vb)/Ibias
* R1 = (Vcc-Vb)/Ibias
* R2 = Vb/Ibias
* R2 = Vb/Ibias
* L'impedenza di ingresso e' pari a (β+1)*(Re+ree) in parallelo con il circuito di bias (R9). La resistenza interna di emettitore ree e' pari a KT/Iem ≅ 0.026V/Ie.
* L'impedenza di uscita e' pari alla resistenza di collettore (R11)
=== Collettore comune ===
* Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
* La tensione in uscita e' <code>Vout=Vin-Vbe</code> dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione per segnali variabili e' 1.
* L'impedenza di ingresso e' pari a Re*(β+1)
* L'impedenza di uscita e'<code>Zout = [Vin-Vout] / (Iout) → [(I/β)Rsource]/I) → Rsource/β</code>
Dove:
* '''K''' e' la costante di Boltzman
* '''m''' va da 1 a 2 nel silicio
* '''T''' la temperatura in gradi kelvin
* '''β''' e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.


== MOSFET ==
== MOSFET ==

Revision as of 14:49, 3 July 2017

BJT

Emettitore comune

Emitter-stabilised-bias.gif
  • Rl = Vcc/Ic
  • Ve ≅ Vcc/10 (a seconda della degenerazione voluta)
  • Ie ≅ Ic (per Ib trascurabile)
  • Re = Ve/Ie
  • Ib = Ic/hfe
  • Vb = Ve + 0,7V
  • Ibias >= 10*Ib
  • R1 = (Vcc-Vb)/Ibias
  • R2 = Vb/Ibias
  • L'impedenza di ingresso e' pari a (β+1)*(Re+ree) in parallelo con il circuito di bias (R9). La resistenza interna di emettitore ree e' pari a KT/Iem ≅ 0.026V/Ie.
  • L'impedenza di uscita e' pari alla resistenza di collettore (R11)

Collettore comune

  • Il guadagno in corrente e' pari a β+1, dove β e' pari al rapporto tra la corrente di collettore e quella di base.
  • La tensione in uscita e' Vout=Vin-Vbe dove il drop Vbe e' pari a 0,7 volt, quindi il guadagno in tensione per segnali variabili e' 1.
  • L'impedenza di ingresso e' pari a Re*(β+1)
  • L'impedenza di uscita e'Zout = [Vin-Vout] / (Iout) → [(I/β)Rsource]/I) → Rsource/β

Dove:

  • K e' la costante di Boltzman
  • m va da 1 a 2 nel silicio
  • T la temperatura in gradi kelvin
  • β e' il coefficiente di amplificazione del transistor, ossia il rapporto tra la variazione di corrente di collettore e quella di base.

MOSFET

N-mosfet.gif

Il MOSFET e' un transistor ad effetto campo nel quale il gate e' isolato dal canale drain-source da un sottile strato di ossido metallico.

Aumentando la tensione tra gate e source, la resistenza tra drain e source diminuisce, permettendo il passaggio di una corrente maggiore.

FET-Ani.gif

Push Pull

Un amplificatore push-pull e' un circuito che usa due transistor che lavorano in modo complementare.

Animation pushpull fast.gif

La classe di funzionamento di un amplificatore indica la parte di segnale durante la quale il transistor e' in conduzione:

  • classe A - il transistor e' sempre in conduzione. L'efficienza e' minore del 50%.
  • classe AB - il transistor e' in conduzione per piu del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' tra il 50% e il 78.6%.
  • classe B - il transistor e' in conduzione per il 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' circa 78.6%.
  • classe C - il transistor e' in conduzione per meno del 50% del periodo del segnale. L'efficienza e' maggiore del 78.6%
Amplifier class.gif

DDS

Un DDS e' un dispositivo composto da un oscillatore, un accumulatore di fase e da un DAC. Attraverso un bus di controllo e' possibile impostare l'incremento di fase, ottendo quindi la frequenza voluta.

Sinusoid.gif

DDS-block.jpg